一种基于MEMS芯片的压电微泵及制备工艺

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一种基于MEMS芯片的压电微泵及制备工艺
申请号:CN202511125740
申请日期:2025-08-12
公开号:CN120990856A
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于MEMS芯片的压电微泵及制备工艺,涉及压电微泵半导体工艺技术领域,包括SOI衬底和压电层,SOI衬底包括底硅、埋氧层和顶硅,底硅开设有背腔,压电层设置在振膜远离底硅的表面,顶硅靠近压电层的表面密封设置射流腔,贯穿埋氧层、顶硅和压电层形成射流孔,底硅远离顶硅的表面密封设置出气板,出气板与背腔形成气流腔,出气板贯穿开设出气孔,本发明在压电层面封装形成射流腔,可以控制射流腔的高度,进而控制射流冲程,简化工艺,并且利用自身的背腔构建气流腔,无需另外封装形成气流腔,小型化压电微泵,扩大了设备的适应范围。
技术关键词
MEMS芯片 压电微泵 SOI衬底 射流 半导体工艺技术 气流 薄硅片 压电薄膜 层叠 层区域 中心线 振膜 电极 正面 通道