激光芯片、激光芯片的制备方法及通信设备

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激光芯片、激光芯片的制备方法及通信设备
申请号:CN202511128348
申请日期:2025-08-13
公开号:CN120638039B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种激光芯片、激光芯片的制备方法及通信设备,涉及芯片技术领域,该激光芯片包括:多层外延结构、阳极电极、阴极电极和第三电极;阳极电极和阴极电极设置于多层外延结构的上表面和下表面;第三电极也设置于上表面,并与阳极电极间隔设置,且第三电极靠近阳极电极的端面为弧形面;上表面的边缘设置有台阶面,台阶面填充有电流非注入层;第三电极覆盖于电流非注入层之上,且自电流非注入层延伸至上表面。在腔面侧设置电流非注入层的同时配合第三电极,并加宽第三电极,扩大第三电极的覆盖范围,有效抑制载流子向出光面聚集,避免腔面热量累积;还将第三电极靠近阳极电极的端面设计为弧形面,避免尖端效应,进一步减少热量累积。
技术关键词
外延结构 阴极电极 激光 芯片 阳极 波导 衬底层 通信设备 电流 增透膜 台阶 气相沉积技术 磁控溅射技术 波浪形曲面 光刻胶 反射率 光刻技术 电子束