一种基于硼硅酸玻璃晶圆的刻蚀深槽的方法

本发明属于硼硅酸玻璃深槽技术领域，尤其是一种基于硼硅酸玻璃晶圆的刻蚀深槽的方法。本发明包括以下步骤：S1、在透明衬底的非刻蚀面蒸发一层钛金属膜；S2、在透明衬底的刻蚀面溅射一层0.6～1um的金属掩膜；S3、使用光刻和刻蚀形成图形化的掩膜，并保留光刻胶；S4、通过掩膜和刻蚀形成深槽，并去除钛金属膜和金属掩膜。本发明能保证传统芯片制造设备能识别硼硅酸玻璃晶圆，并对其进行深槽工艺刻蚀。